TO-268 N-CH 40V 500A
N-Channel 40V 500A Tc 1000W Tc Surface Mount TO-268AA
得捷:
MOSFET N-CH 40V 500A TO268
贸泽:
MOSFET Trench T2 Power MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 500A 3-Pin2+Tab TO-268
漏源极电阻 1.6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 1 kW
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 500A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 25000pF @25VVds
下降时间 44 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1000W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
长度 14 mm
宽度 16.05 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXTT500N04T2 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXTH500N04T2 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXTT500N04T2和IXTH500N04T2的区别 |