额定电压DC 40.0 V
额定电流 23.0 A
漏源极电阻 3.4 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.8 mW
产品系列 IRF6613
阈值电压 1.35 V
输入电容 5.95 nF
栅电荷 63.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 18.0 A
输入电容Ciss 5950pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DirectFET™ Isometric MT
封装 DirectFET™ Isometric MT
工作温度 -40℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17