IXTH52P10P概述
P沟道 100V 52A
通孔 P 通道 100 V 52A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
得捷:
MOSFET P-CH 100V 52A TO247
立创商城:
P沟道 100V 52A
贸泽:
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin3+Tab TO-247
Win Source:
MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
IXTH52P10P中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 50 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 300 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 52A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 2845pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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