IXBF32N300参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXBF32N300概述

Igbt 3000V 40A 160W Isoplusi4

IGBT 3000V 40A 160W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 40A 160000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 40A 160000mW 3-Pin ISOPLUS I4-PAC

DeviceMart:
IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4

IXBF32N300中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 3000 V

反向恢复时间 1.5 µs

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 i4-Pac

外形尺寸

封装 i4-Pac

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBF32N300

型号： IXBF32N300

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 3000V 40A 160W Isoplusi4