IXDP20N60B

IXDP20N60B图片1
IXDP20N60B图片2
IXDP20N60B图片3
IXDP20N60B图片4
IXDP20N60B概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 32A 140000mW 3Pin3+Tab TO-220AB

VCES = 600 V

IC25 = 32 A

VCEsat typ = 2.2 V

Features

● NPT IGBT technology

● low switching losses

● low tail current

● no latch up

● short circuit capability

● positive temperature coefficient for easy paralleling

● MOS input, voltage controlled

● optional ultra fast diode

● International standard package

Advantages

● Space savings

● High power density

Typical Applications

● AC motor speed control

● DC servo and robot drives

● DC choppers

● Uninteruptible power supplies UPS

● Switch-mode and resonant-mode power supplies

IXDP20N60B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 140000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 140 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDP20N60B
型号: IXDP20N60B
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 32A 140000mW 3Pin3+Tab TO-220AB

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台