INFINEON IPL60R199CPAUMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16.4 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 650V 16.4A 4VSON
立创商城:
N沟道 650V 16.4A
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPL60R199CPAUMA1, 16 A, Vds=600 V, 4引脚 VSON封装
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 16.4 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 16.4A 4-Pin VSON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 16.4A 4-Pin VSON T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.4A; 139W; PG-VSON-4
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 16.4A 4-Pin VSON T/R
额定功率 139 W
针脚数 5
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 139 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 16.4A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1520pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 139000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 PowerTSFN-4
长度 8.1 mm
宽度 8.1 mm
高度 1.1 mm
封装 PowerTSFN-4
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Alternative Energy, Industrial, Communications & Networking, 电源管理, Power Management, 通信与网络, 替代能源, 消费电子产品, Consumer Electronics
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17