IPL65R099C7

IPL65R099C7图片1
IPL65R099C7概述

N沟道 650V 21A

Summary of Features:

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650V voltage
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Revolutionary best-in-class R DSon/package
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Reduced energy stored in output capacitance Eoss
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Lower gate charge Qg
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Space saving through use of smaller packages or reduction of parts
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12 years manufacturing experience in superjunction technology

Benefits:

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Improved safety margin and suitable for both SMPS and solar inverter applications
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Lowest conduction losses/package
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Low switching losses
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Better light load efficiency
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Increasing power density
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Outstanding CoolMOS™ quality

Target Applications:

 

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Telecom
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Server
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Solar
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PC power
IPL65R099C7中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 128 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 2140pF @400VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 128000 mW

封装参数

引脚数 4

封装 VSON EP

外形尺寸

长度 8 mm

高度 1.10 mm

封装 VSON EP

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IPL65R099C7
描述:N沟道 650V 21A

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