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IPL65R190E6概述

Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。

贸泽:
Infineon HIGH POWER_LEGACY

IPL65R190E6中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 20.2A

输入电容Ciss 1620pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 151 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 VSON

外形尺寸

长度 8.1 mm

宽度 8.1 mm

高度 1.1 mm

封装 VSON

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买IPL65R190E6

型号： IPL65R190E6

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET **Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 PFC、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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