IRF9Z34N概述
P沟道 55V 19A
Benefits:
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- RoHS Compliant
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- Low RDSon
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- Industry-leading quality
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- Dynamic dv/dt Rating
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- Fast Switching
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- Fully Avalanche Rated
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- 175°C Operating Temperature
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- P-Channel MOSFET
IRF9Z34N中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -55.0 V
额定电流 -19.0 A
极性 P-Channel
耗散功率 68.0 W
产品系列 IRF9Z34N
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 -55.0 V
连续漏极电流Ids -19.0 A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 68000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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