IPP47N10SL-26

IPP47N10SL-26图片1
IPP47N10SL-26图片2
IPP47N10SL-26图片3
IPP47N10SL-26中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 175 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 47A

上升时间 100 ns

下降时间 70 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP47N10SL-26
型号: IPP47N10SL-26
制造商: Infineon 英飞凌
描述:SIPMOS功率三极管N沟道增强模式的逻辑电平 SIPMOS Power-Transistor N-Channel Enhancement mode Logic Level

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台