IRF7313QPBF

额定功率 2 W

通道数 2

漏源极电阻 46 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 6.5A

上升时间 8.9 ns

输入电容Ciss 650pF @25VVds

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2000 mW

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

材质 Silicon

产品生命周期 Active

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册