IPSH4N03LA-G

IPSH4N03LA-G图片1
IPSH4N03LA-G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 90.0 A

极性 N-CH

输入电容 3.20 nF

栅电荷 26.0 nC

漏源极电压Vds 25.0 V

连续漏极电流Ids 90.0 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPSH4N03LA-G
型号: IPSH4N03LA-G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OPTIMOS 2个电源 - 晶体管 OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR

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