IPD90N06S407ATMA2

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IPD90N06S407ATMA2概述

N沟道 60V 90A

* N-channel - Enhancement mode * Automotive AEC Q101 qualified * MSL1 up to 260°C peak reflow * 175°C operating temperature * Green product RoHS compliant * 100% Avalanche tested * Ultra low RDSon


欧时:
Infineon MOSFET IPD90N06S407ATMA2


立创商城:
N沟道 60V 90A


得捷:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD90N06S407ATMA2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 79 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 3460pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 79W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Single-ended motors, Solenoids control, Valves control

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPD90N06S407ATMA2
型号: IPD90N06S407ATMA2
描述:N沟道 60V 90A
替代型号IPD90N06S407ATMA2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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