对比图
型号 IPD90N06S407ATMA1 IPD90N06S407ATMA2
描述 DPAK N-CH 60V 90AN沟道 60V 90A
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 79 W 79 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 90A 90A
上升时间 3 ns 3 ns
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 3460pF @25V(Vds)
下降时间 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc)
通道数 1 -
漏源极电阻 5.7 mΩ -
阈值电压 2 V -
漏源击穿电压 60 V -
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.5 mm -
宽度 6.22 mm -
高度 2.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99