IPD096N08N3GATMA1概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 80 V, 0.0079 ohm, 10 V, 2.8 V
表面贴装型 N 通道 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
欧时:
Infineon MOSFET IPD096N08N3GATMA1
立创商城:
N沟道 80V 73A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 73 A, 80 V, 0.0079 ohm, 10 V, 2.8 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N 80V 73A 3-Pin TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 73A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
IPD096N08N3GATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.0079 Ω
极性 N-CH
耗散功率 100 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 73A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 2410pF @40VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买IPD096N08N3GATMA1