IPB50R250CP

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IPB50R250CP中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 250 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 114 W

漏源极电压Vds 550 V

漏源击穿电压 550 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 1420pF @100VVds

下降时间 11 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 114000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB50R250CP
型号: IPB50R250CP
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor

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