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IRF830S图片1

IRF830S概述

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

表面贴装型 N 通道 500 V 4.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

贸泽:
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp

IRF830S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 74W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 610pF @25VVds

额定功率Max 74 W

耗散功率Max 3.1W Ta, 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF830S

型号： IRF830S

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

替代型号IRF830S

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF830S Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRF830SPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRF830S和IRF830SPBF的区别
IRF830STRL Vishay Siliconix	完全替代	IRF830S和IRF830STRL的区别
IRF830STRLPBF Vishay Siliconix	类似代替	IRF830S和IRF830STRLPBF的区别