IRLD110

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IRLD110概述

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

N-Channel 100V 1A Ta 1.3W Ta Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP


得捷:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP


IRLD110中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.3W Ta

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 250pF @25VVds

耗散功率Max 1.3W Ta

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 HexDIP-4

外形尺寸

封装 HexDIP-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRLD110
型号: IRLD110
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
替代型号IRLD110
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