MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
N-Channel 100V 1A Ta 1.3W Ta Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
得捷: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
耗散功率 1.3W Ta
漏源极电压Vds 100 V
输入电容Ciss 250pF @25VVds
耗散功率Max 1.3W Ta
安装方式 Through Hole
封装 HexDIP-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册
IRLD110
Vishay Siliconix
当前型号
IRLD110PBF
功能相似