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IRF820S图片1

IRF820S概述

MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

表面贴装型 N 通道 500 V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

IRF820S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 360pF @25VVds

耗散功率Max 3.1W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF820S

型号： IRF820S

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

替代型号IRF820S

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF820S Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
IRF820SPBF Vishay Siliconix	完全替代	IRF820S和IRF820SPBF的区别
IRF820STRL Vishay Siliconix	完全替代	IRF820S和IRF820STRL的区别
IRF820STRR Vishay Siliconix	完全替代	IRF820S和IRF820STRR的区别