IPD90N06S3L-07参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IPD90N06S3L-07图片1

IPD90N06S3L-07中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 107 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 90A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 6500pF @25VVds

下降时间 44 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 107000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买IPD90N06S3L-07

型号： IPD90N06S3L-07

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

替代型号IPD90N06S3L-07

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IPD90N06S3L-07 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IXTA110N055T2 IXYS Semiconductor	功能相似	IPD90N06S3L-07和IXTA110N055T2的区别
NP90N06VLG-E1-AY 瑞萨电子	功能相似	IPD90N06S3L-07和NP90N06VLG-E1-AY的区别
IXTA110N055T IXYS Semiconductor	功能相似	IPD90N06S3L-07和IXTA110N055T的区别