对比图
型号 IPD90N06S3L-07 NP90N06VLG-E1-AY IXTA110N055T2
描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN沟道 55V 110A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
极性 N-CH - N-CH
耗散功率 107 W 105 W 180W (Tc)
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 90A - 110A
上升时间 42 ns 13 ns -
输入电容(Ciss) 6500pF @25V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 3060pF @25V(Vds)
下降时间 44 ns 7 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 107000 mW 1.2W (Ta), 105W (Tc) 180W (Tc)
长度 6.5 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.3 mm - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)