IPB26CN10N G

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IPB26CN10N G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 71 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 2070pF @50VVds

额定功率Max 71 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB26CN10N G
型号: IPB26CN10N G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3

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