IPP037N08N3 G E8181

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IPP037N08N3 G E8181中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 214 W

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 79 nS

输入电容Ciss 8110pF @40VVds

额定功率Max 214 W

下降时间 14 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP037N08N3 G E8181
型号: IPP037N08N3 G E8181
制造商: Infineon 英飞凌
描述:MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3

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