对比图
型号 IRF6662 IRF6662PBF IRF6662TRPBF
描述 Direct-FET N-CH 100V 8.3ADirect-FET N-CH 100V 8.3A晶体管, MOSFET, N沟道, 47 A, 100 V, 0.0175 ohm, 10 V, 3.9 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 7
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
额定功率 - - 89 W
针脚数 - - 5
漏源极电阻 - - 0.0175 Ω
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - - 2.8 W
阈值电压 - - 3.9 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 8.3A 8.3A 8.3A
上升时间 - - 7.5 ns
输入电容(Ciss) - - 1360pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.8 W
下降时间 - - 5.9 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -40 ℃
耗散功率(Max) - - 2.8W (Ta), 89W (Tc)
长度 - - 5.45 m
宽度 - - 5.05 mm
高度 - - 0.7 mm
封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET
材质 - - Silicon
工作温度 - - -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free