晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 600 V, 0.305 ohm, 10 V, 3.5 V
表面贴装型 N 通道 600 V 9A（Tc） 41W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
欧时:
Infineon MOSFET IPD60R360P7ATMA1
立创商城:
N沟道 600V 9A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 / N-Channel 600 V 9A Tc 41W Tc Surface Mount PG-TO252-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.305 Ω
耗散功率 41 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 555pF @400VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 41W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Lighting, Server, Industrial SMPS, TV power supply, Telecom
RoHS标准
含铅标准 Lead Free