IPAN70R360P7SXKSA1

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IPAN70R360P7SXKSA1概述

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, 通孔

通孔 N 通道 700 V 12.5A(Tc) 26.5W(Tc) PG-TO220 整包


欧时:
Infineon MOSFET IPAN70R360P7SXKSA1


立创商城:
N沟道 700V 12.5A


得捷:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP


IPAN70R360P7SXKSA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.3 Ω

耗散功率 26.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 700 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 517pF @400VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 26500 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Aux power

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPAN70R360P7SXKSA1
型号: IPAN70R360P7SXKSA1
描述:功率场效应管, MOSFET, N沟道, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, 通孔

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