IMT4-7-F参数规格_中文资料_数据手册PDF

IMT4-7-F概述

Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 6Pin SOT-26 T/R

- 双极 BJT - 阵列 2 PNP（双） 120V 50mA 140MHz 225mW 表面贴装型 SOT-26

得捷:
TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26

艾睿:
Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 225mW 6-Pin SOT-26 T/R

Win Source:
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

IMT4-7-F中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 120 V

集电极最大允许电流 0.05A

最小电流放大倍数hFE 180 @2mA, 6V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 225 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IMT4-7-F引脚图与封装图

在线购买IMT4-7-F

型号： IMT4-7-F

制造商： Diodes 美台

描述：Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 6Pin SOT-26 T/R

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