IMT4-7和IMT4-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IMT4-7 IMT4-7-F IMT4

描述 Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 6Pin SOT-26 T/RTrans GP BJT PNP 120V 0.05A 6Pin SOT-26 T/RBipolar Transistors

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 6 -

封装 - SOT-23-6 -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 120 V -

集电极最大允许电流 - 0.05A -

最小电流放大倍数(hFE) - 180 @2mA, 6V -

额定功率(Max) - 225 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 225 mW -

封装 - SOT-23-6 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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