JAN2N3439L

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JAN2N3439L概述

Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5

This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.  These devices are also available in TO-39 and low profile U4 and UA
.
* ** packaging.  also offers numerous other transistor products to meet higher and lower power ratings with various switching speed requirements in both through-hole and surface-mount packages.
JAN2N3439L中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 5 W

击穿电压集电极-发射极 350 V

最小电流放大倍数hFE 40 @20mA, 10V

额定功率Max 800 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-5-3

外形尺寸

封装 TO-5-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买JAN2N3439L
型号: JAN2N3439L
描述:Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5
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