JAN2N3439L和JANTXV2N3439L

对比图

型号 JAN2N3439L JANTXV2N3439L 2N3439L

描述 Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5Trans GP BJT NPN 350V 1A 3Pin TO-5NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-5-3 TO-5 TO-5

极性 - - NPN

耗散功率 5 W - 0.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 - - 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 800 mW - 800 mW

封装 TO-5-3 TO-5 TO-5

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bag Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead