中国 / 法国贝宁，2020年7月7日- 半导体材料创新、设计和生产全球领军企业，法国Soitec半导体公司今日宣布与Qualcomm Technologies， Inc.签署合作协议，为其供应压电（POI）衬底以用于4G和5G射频滤波器。
Soitec已与Qualcomm Technologies合作多年，本次与其签订此协议，将为Qualcomm Technologies的射频滤波器大规模生产POI衬底，以用于智能手机射频前端模块。
“凭借我们突破式创新的薄膜式SAW技术，以及Qualcomm?ultraSAW 射频滤波器产品，我们将继续突破移动技术的边界，”Qualcomm高级副总裁兼射频前端业务总经理Christian Block表示，“与Soitec的协议对于确保高性能POI衬底的供应，以及满足OEM客户对高性能Qualcomm? ultraSAW射频滤波器产品的需求至关重要。通过Soitec基于Smart CutTM技术的POI衬底，与Qualcomm Technologies滤波器的设计和系统相结合，可以保证带有多滤波器功能的多工器芯片的高良率。”
POI是通过Soitec专利技术 150 mm Smart CutTM打造的创新型优化衬底。POI以高阻硅作为基底、上覆氧化埋层，并以一层极薄且均匀的单晶压电层覆盖顶部。Soitec的POI衬底用于构建最新一代的4G/5G表面声波（SAW）滤波器，具有内置温度补偿的性能。
“这项协议是Soitec和Qualcomm Technologies公司合作的结果。Soitec的POI衬底现在是Qualcomm Technologies为移动设备提供的5G产品的重要组成部分，我们对此感到非常高兴。”Soitec全球业务部门高级执行副总裁Bernard Aspar博士说，“Soitec长期服务射频市场，有着丰富的经验，尤其是RF- SOI有着极高的出货量。基于我们强大的Smart CutTM技术，我们有信心能够大批量生产POI衬底，使其成为5G射频滤波器的标准材料。”