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技术:利用低压降压IC实现的一款偏置电源设计

这篇文章将是一个可的AC输入电压转换为低电子能量计等应用DC电压简单电路。在这种特殊的应用中,无需将输出电压隔离于输入电压。此处,经过整流的 AC 输入电压高达375 VDC,同时,数百毫安电流的输出电压可以在5伏以内。这些大容量应用通常是由成本驱动的,因此需要低部件数量/低成本电路。步降稳压器提供了低成本的解决方案,但在使用高压输入时却充满了挑战。在连续模式下,降压稳压器的比例为输出电压除以输入电压,即400V转换到5V时占空比为1.25%。如果在100kHz运行电源需要 125 nS由于开关速率的限制,导通时间通常是不现实的。

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图1 低压降压 IC 实现了简单经济的偏置电源

图 1是解决空比问题的电路。恒定导通控制器(U1)驱动高压降压功率级,包括电平转换电路(Q2,Q3)驱动的P通道FET (Q4),以将400V 转换为5V。控制器(在我们的例子中使用 TPS64203)是本设计的关键。它有一个低静态电流35 uA),转换器可以最小化R2和R3电阻功耗离线启动。第二个关键因素是它提供短时间(600 nS)最小开关频率(连续导通模式频率(连续导通模式kHz以上能力。Q1用于电平转换栅极驱动电压至高端驱动。IC低压输出在R四上约为5伏,其使Q1和R固定电流出现在5中。通过发射极输出器到达P通道FET栅极为R5.提供电压。C4充电,认为驱动电路供电。我们选择P通道FET简化驱动电路。如果你想使用一个N通道需要驱动FET完全增强装置的方法是极端输入电压。


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图 2 MOSFET表现较好的 (< 50nS) 开关速度

图 2显示两个电路波形,表明通过简单的双极驱动器可以获得更好的开关速度。低于50 nS的栅极驱动升降时间产生小于30 nS漏极-开关时间。通过调整转换P通道FET驱动电流可以提高速率,成本更高。这种电路的效率约为70%。考虑到功耗水平只有4瓦,从400V转换到5V,而且电路既简单又便宜,效率也不低。这种设计的两个缺点是缺乏短路和过电压保护。然而,这种电路可能代表了许多应用程序中性价比高的折衷方法。

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