稳压二极管，英文名称Zener diode，又称齐纳二极管。pn在结反向击穿状态下，其电流可以在很大范围内变化，电压基本不变，从而产生稳压二极管。这种二极管是一种半导体装置，直到临界反向击穿电压。在这个临界击穿点，反向电阻降低到一个非常小的值，电流在这个低电阻区域增加，电压保持恒定。稳压二极管根据击穿电压进行分级。由于这一特点，稳压管主要用作稳压器或电压基准元件。稳压二极管可串联使用，以便在更高的电压下使用。
先要知道稳压最大负载电流，和稳压二级管要求的达到标称值时的最小电流，两个相加得到I。
再确定电源电压的最低值，减去稳压值，得到VL，计算最大限流电阻R=VL/I。
在用最大电源电压，减去稳压值，得到VH，计算最大电路电流Ih= VH/R。
最后，才得到稳压管的最小功率 Pl=Ih * 稳压值。
实际应用中，要留最少30%的余量。
1.Uz— 稳定电压
指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V，Vzmax则为3.6V。
2.Iz— 额定电流
指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。
3.Rz— 动态电阻
指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为 5mA时，Rz为18Ω;工作电流为1OmA时，Rz为8Ω;为20mA时，Rz为2Ω ; 》 20mA这个值基本维持。
4.Pz— 额定功耗
由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz允许最大电流Izm比如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mWo
5. α---温度系数
如果稳压管的温度变化，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃管道两端电压的相对变化是温度系数(单位:﹪/℃）。一般来说，稳压值低于6V温度系数为负，高于6V雪崩击穿，温度系数为正。当温度升高时，耗尽层减小。在耗尽层中，原子的价格电子上升到更高的能量。较小的电场强度可以刺激价格电子从原子中产生齐纳击穿，因此其温度系数为负。当耗尽层较宽的电场强度较低时，温度的升高增加了晶格原子的振动范围，阻碍了载流子的运动。在这种情况下，雪崩击穿只能通过增加反向电压来发生，因此雪崩击穿的电压温度系数为正。这就是为什么稳压值为15V稳压管的稳压值随温度逐渐增加，稳压值为5V稳压管的稳压值随温度逐渐降低。例如，2CW58稳压管的温度系数为 0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。在电源要求较高的情况下，可以将两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿，温度系数大大降低，温度系数可达0.0005%/℃。
6.IR— 反向泄漏电流
指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时，IR=O.1uA;在VR=6V时，IR=10uA。
（1）稳定电压Vz：稳定电压是稳压二极管正常工作时管道两端的电压值。该值随工作电流和温度略有变化。它不仅是同一型号的稳压二极管，而且具有一定的分散性，如2CW14硅稳压二极管的稳定电压为6~7.5V。
（2）耗散功率PM：通过稳压二极管的反向电流PN结时，要产生一定的功率损失，PN结的温度也会升高。根据允许PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。最大耗散功率PZM：稳压管的最大功率损失取决于PN结的面积和散热条件。反向工作时，PN结的功率损失为：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。
（3）稳定电流IZ、最小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；最小稳定电流：稳定电压时所需的最小反向电流；最大稳定电流：稳压二极管允许的最大反向电流。
（4）动态电阻rZ：其概念与一般二极管的动态电阻相同，但稳压二极管的动态电阻是从其反向特性中获得的。rZ反映稳压管的击穿特性越小越陡。
rz=△VZ/△IZ
（5）稳定电压温度系数：温度的变化将使VZ当|VZ| ＞7 V时，VZ雪崩击穿具有正温度系数。|VZ|＜4V时，VZ有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。V＜|VZ|＜7V稳压管可获得接近零的温度系数。这种稳压二极管可用作标准稳压管