主要内容

参考如下

• DC-100K 10uF以上钽电容或铝电解

• 100K-10M 100nF(0.1uF)陶瓷电容

• 10M-100M 10nF(0.01uF)陶瓷电容

• 100M以上 1nF(0.001uF) 陶瓷电容和PCB的地平面与电源平面的电容

所以以后什么都不要放0.1uF在一些高速系统中，这些0的电容器.1uF电容根本不起作用。

其他知识

让我们先看看电容器。电容器的功能只是存储电荷。我们都知道在电源中添加电容滤波器，并在每个芯片的电源脚上放置0.1uF电容器去耦。等等，为什么我看到一些板芯片电源脚旁边的电容器是0.1uF的或者0.01uF是的，有什么要注意的吗？要理解这条路，我们必须了解电容器的实际特性。理想的电容器只是一个电荷存储器，即C。但而，实际制造的电容没有那么简单，我们常用的电容模型在分析电源完整性时如下图所示。

图中ESR是电容串联等效电阻，ESL是电容串联等效电感，C是真正理想的电容。ESR和ESL是由电容的制造工艺和材料决定的，没法消除。那这两个东西对电路有什么影响。ESR影响电源的纹波，ESL影响电容器的滤波频率特性。

我们知道电容的容抗Zc=1/ω C，电感的感抗Zl=ω L,( ω =2π f),实际电容器的复阻抗为

Z=ESR jω L-1/jω C= ESR j2π f L-1/j2π f C

可以看出，当频率很低时，电容起作用，当频率高到一定程度时，电感的作用不容忽视。无论电感有多高，它都起着主导作用。电容器失去了滤波器的功能。所以请记住，电容器在高频时不是简单的电容器。实际电容器的滤波曲线如下图所示。

见上图。我们想要的最好的滤波效果是在谷底部，也就是曲线凹的尖端。当这个尖端时，当我们的芯片时，滤波效果是好的IC内部逻辑门为10-50Mhz在执行范围内，芯片内部的干扰也在10-50Mhz,(如51单片机)，仔细看上图曲线，0.1uF电容器(有两种，一种是插件，另一种是贴片)的底部刚好落在这个范围内，可以过滤掉这个频段的干扰。但是，当频率很高时(50-100Mhz），不是这样。这个时候0.1uF电容滤波效果不是0.01uF好了，以此类推，频率再高，选择的滤波电容量级也会变小，具体怎么参考？

参考地址https://mp.weixin.qq.com/s/9wfw4ejHtqyeCsWvQWapQg