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光敏电阻检测12528

? 01光敏电阻


显示光敏电阻可以用来制造FET,下面是

▲ 购买到的LDR Ap-6

▲ 购买到的LDR Ap-6

通过 上面的数据显示,这个购买的T如下表所示,12528的相关特征。

▲ 光敏电阻12528相关的特性资料

▲ 光敏电阻12528相关特性数据

测试该装置的相关电气特性。

? 02电气特性


1.测量电阻

(1) 常规光线下

在桌面常规环境光下,电阻值约为1k欧姆左右。

▲ 测量12525 的电阻

▲ 测量12525 电阻

▲ 光敏电阻表面的结构

▲ 光敏电阻表面的结构

(2) 暗电阻

用黑色热缩管遮挡光敏电阻表面,用万用表测量的电阻最高可达20MΩ上述阻值。

▲ 使用黑色热缩管密封光电组

▲ 用黑色热缩管密封光电组

将光敏电阻放置在屏蔽盒中,可测量的电阻超过100MΩ以上。超出万用表的测量范围。

▲ 将光敏电阻安置在屏蔽盒内

▲ 将光敏电阻放光敏电阻

2.测量动态特性

(1) 激励光源

增加屏蔽盒LED,使用470Ω串联在 5V盖上盒盖后测量的电阻月E座13.129k欧姆。

▲ 在屏蔽盒内安置发光二极管

▲ 屏蔽箱内放置发光二极管

(2) 测量动态特性

使用信号源输出方波信号驱动LED,分压电压波形测量光敏电阻和分压电阻。

▲ 测量电路

▲ 测量电路

测量波形为:

▲ 输入驱动电压与光电电阻分压电压

▲ 输入驱动电压和光电阻分压电压

光敏电阻的升降信号时间为20~30ms之间。基本符合技术手册中给定的数据。

? 03构建FET


根据 网站介绍的构建FET的方法,

1.构建方法

在光敏电阻表面粘贴一层透明胶带,并用502胶粘合。这可以避免光

电压控制栅极采用铜箔焊接引线。

按照为了使电压更接近半导体,需要在铜箔和光电组之间添加水溶液。这可以使电场更强。

2.测量

(1) 静态电阻

  • 施加0V: 电阻:30.61MΩ
  • 施加30V:电阻23.1MΩ

(2) 放大信号

铜箔上施加交变信号,观察光敏电阻的调节: ▲ 对于信号放大作用

▲ 对于信号放大作用

下图显示了电压信号(蓝色)和电压分压信号(蓝色) ▲ 输入信号(青色)与输出信号(蓝色)

▲ 输入信号(青色)与输出信号(蓝色)

输出的交流信号基本是电容耦合作用,并没有观察到明显的同相,或者反向的电压控制作用。

 

※ 结论


通过对12528光敏电阻(LDR)的基本测量,获得了该器件的基本特征。

初步构面了基于LDR的FET过程。但是FET的性能并没有能够得到证实。

标签: 基于光敏二极管

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