滤波电容器在开关电源中起着非常重要的作用。如何正确选择滤波电容器，特别是输出滤波电容器的选择是每个工程技术人员都非常关心的问题。
在电源滤波电路上，我们可以看到各种不同容量的电容，如100uF、10uF、100nF、10nF等等，这些参数是如何确定的？
在50Hz普通电解电容器用于工频电路，脉动电压频率仅为100Hz，充放电时间为毫秒数量级。
为了获得更小的脉动系数，所需的电容量高达数十万μF，因此，普通低频铝电解电容器的目标是提高电容量，其优缺点的主要参数是电容量、损耗角正切值和漏电流。
开关电源中的输出滤波电解电容器的锯齿波电压频率高达数十kHz，甚至是数十MHz，此时，电容其主要指标。
衡量高频铝电解电容器质量的标准是阻抗频率特性，要求开关电源的工作频率具有较低的等效阻抗，对半导体设备工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波效果。
10个普通低频电解电容器kHz左右便开始呈现感性，不能满足开关电源的使用要求。
开关电源专用高频铝电解电容器有四个端子。正极铝片的两端分别作为电容器引出正极，负极铝片的两端也作为负极引出。
电流从四端电容器的一个正端流入，然后从另一个正端流入负载；从负载返回的电流也从电容器的一个负端流入，然后从另一个负端流入电源负端。
由于四端电容具有良好的高频特性，为降低电压脉动分量和抑制开关尖峰噪声提供了极其有利的手段。
高频铝电解电容器也有多芯形式，即将铝箔分成短段，并联多导出片，以减少容抗中的阻抗成分。
并采用低电阻材料作为引出端子，提高了电容器承受大电流的能力。
什么是滤波去耦，简单的说就是在芯片不需要电流的时候存储能量，在你需要电流的时候我又能及时的补充能量。
不要告诉我这个职责不是DCDC、LDO是的，它们可以在低频时完成，但高速数字系统则不同。
让我们先看看电容器。电容器的功能只是存储电荷。我们都知道在电源中添加电容滤波器，并在每个芯片的电源脚上放置0.1uF电容去耦。
等等，为什么我看到一些板芯片电源脚旁边的电容器是0.1uF的或者0.01uF是的，有什么讲究吗？
要理解这条路，我们必须了解电容器的实际特性。理想的电容器只是一个电荷存储器，即C。
但而，实际制造的电容没有那么简单，我们常用的电容模型在分析电源完整性时如下图所示。
图中ESR是电容串联等效电阻，ESL是电容串联等效电感，C是真正理想的电容。
ESR和ESL由电容器的制造工艺和材料决定，不能消除，那么这两件事对电路有什么影响呢？
我们知道电容的容抗Zc=1/ωC，电感的感抗Zl=ωL,(ω=2πf)，实际电容器的复阻抗为Z=ESR jωL-1/jωC=ESR j2πfL-1/j2πfC。
可以看出，当频率很低时，电容起作用，当频率高到一定时，电感的作用不容忽视。无论电感有多高，电容都会失去滤波器的作用。
所以记住，如下图所示：
上容器的等效串联电感是由电容器的制造工艺和材料决定的，实际的贴片陶瓷电容器ESL从零点几nH到几个nH，封装越小ESL就越小。
从上面电容器的滤波曲线上，我们也可以看出它并不平坦，它就像一个‘’V，也就是说，有选频特性，我们希望它越平越好(前板级滤波)，有时希望它越尖越好(滤波或陷波)。
影响这一特性的是电容器的质量因素Q，Q=1/ωCESR，ESR越大，Q曲线越小，曲线越平坦，反之亦然ESR越小，Q曲线越大越尖。
通常钽电容和铝电解相对较小ESL，而ESR因此钽电容和铝电解具有较宽的有效频率范围，非常适合前板级滤波。
也就是在DCDC或者LDO大容量钽电容器常用于输入级滤波。
在芯片附近放一些10uF和0.1uF陶瓷电容，陶瓷电容很低ESR。
说了这么多，我们把0放在芯片附近的管脚上。.1uF还是0.01uF，以下列出供您参考：
频率范围hz | 电容取值 |
DC-100K | 10uF以上钽电容或铝电解 |
100K-10M | 100nF(0.1uF)陶瓷电容 |
10M-100M | 10nF(0.01uF)陶瓷电容 |
>100M | 1nF(0.001uF)陶瓷电容 |
所以，有些高速系统中这些0.1uF电容根本不起作用。
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