根据国际半导体技术路线图，片上存储器近年来发展迅速（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管的特性尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器中的面积比例越来越高。接下来，宇芯电子介绍SRAM工作原理和工作流程。
SRAM 写操作。 写作操作是将数据写入指定的数据SRAM 存储单元中。首先，选择信号片。CEBB 位于低电平，读控制电路开始运行。10 位写地址线AB0-AB9、16位数据输入DI0-DI15 准备就绪，地址信号有效，系统开始翻译代码，选择要写的存储单元和要写的数据。当时钟信号CKB 高电平到来时，CKB 信号控制译码电路完成最终译码，行译码电路选择的存储单元写字线WWL 将打开；16 位数据通过输入输出电路中的写作电路传输到写作线BL 将数据写入选定的存储单元。
SRAM 读操作。 读操作就是把SRAM读取 阵列中存储在指定单元中的数据。片选信号CEBA 位于低电平，读控电路运行。10 位读地址线与写作操作相同AA0-AA9 提前准备，通过译码器选择指定的存储单元；读取位线RBL 预充电至高电平。预充电一段时间后，时钟信号CKA 到了，翻译完成，打开指定存储单元的读字线RWL，读取存储单元。此时，激活灵敏放大器并读取位线RBL 上的电压变化会传递到灵敏放大器，可以根据灵敏放大器RBL电压变化将结果发送到输出电路，从端口输出二进制序列DO0-DO读取15 ，读取特定存储单元的数据。