一.选择题(每题2分，共30分)
1.以下关于双极模拟集成电路隔离区划分原则的不正确说法是( )
A．NPN管V C同时，可放置在同一隔离区
B. NPN管V C和PNP管的V E相同时,可以放在同一隔离区
C. MOS电容需要单独的隔离区
D.原则上，硼扩散电阻可以放置在同一隔离区
2.在版图设计中,设计规则检查称为()
A. EXTRACT
B. ERC
C. DRC
D. LVS
3.不影响其共模抑制比的因素是( )
A差分管的对称性
B.电流源的交流阻抗
C.输入电压范围
D.电阻R C1和R C2的对称性
4.在PMOS中,衬底上加上正电压偏置,会使阈值电压( )
A. 增大 B 不变 C 减小 D 可大可小
5.随着微电子工艺水平的提高，电路的工作电压会()
A不断提高 B. 不变 C. 可大可小 D. 不断降低
6.集成电路工艺水平无法描述以下()技术指标？
A．集成度 B.特征尺寸 C. 芯片面积 D. 输入阻抗
7.CMOS推挽放大器NMOS管和PMOS( )管道分别工作.
A . NMOS截止区和线性区域的管道工作PMOS管理在截止区和线性区域工作
B. NMOS饱和区和线性区管道工作； PMOS饱和区和线性区管理