DS18B20特性
内存表
ROM指令表
RAM指令表
DS18B20暂存器表
单个DS18B20温度转换过程
读取和计算温度
配置寄存器(分辨率)
读写时序
复位和现有检测
写时序
读时序
程序实现
| 读ROM | 33H | 读DS18B20温度传感器ROM种的编码 |
| 匹配ROM | 55H | 发出这个命令后，发出了64个ROM编码，访问单总线上与该编码相对应的DS18B20为下一步做出响应DS18B20的读写准备 |
| 搜索 ROM | F0H | 用于确定挂在同一总线上的DS18B64位ROM地址，准备操作各种设备 |
| 告警搜索 | ECH | 执行后，只有温度超过设定值上限或下限的设定才能响应 |
| 写暂存器 | 4EH | 发出向内部RAM的3、4字节写上、下限温度数据命令，紧跟该命令之后，是传送两字节的数据 |
| 复制暂存器 | 48H | 将RAM中3，4字节的内容复制到EEPROM |
| 重调EEPROM | B8H | 将EEPROM中内容恢复到RAM中的3，4字节 |
| 读供电方式 | B4H | 读DS18B20的供电模式。寄生供电时 DS18B20发送 "0",外接电源供电DS18B20发送"1" |
- 高5位为 0，测到的数值
- 高5位为 1，测到的
注：上电复位后温度默认值是85°C
注：默认为12位分辨率
在初始化序列期间，总线控制器拉低总线并保持 冲，然后。单总线由4.7K 上拉电阻拉到高电平。当 DS18B20 探测到 I/O 引脚上的然后
总线控制器通过时序写 时序写所有写时序必须，包括 。当总线控制器把数据线从逻辑
所有读时序必须。当总线控制 器把数据线从高电平拉到低电平时，读时序开始，数据线必须至少保持 1us,然 后总线被释放。在总线控制器发出读时序后，。当传输逻辑 0 结束后，总线将被释放，通过上拉电阻回 到上升沿状态。从 DS18B20 输出的数据在
void Delay_us(uchar us)//进一次约6.5us{ while(us--); }bit ds_init(){ bit i; DS = 1; _nop_(); DS = 0; Delay_us(75); //6.5*75>480us DS = 1; //释放总线 Delay_us(4); //15~16us i = DS; Delay_us(20); //60~240us DS = 1; _nop_(); return (i);}void write_byte(uchar dat){ uchar i; for(i=0;i<8;i++) { DS = 0; _nop_();//5us DS = dat & 0x01;//判断写0还是写1 Delay_us(10);//>60us DS = 1; //释放总线 _nop_(); dat >>= 1;//数据右移 }}uchar read_byte(){ uchar i, j, dat; for(i=0;i<8;i++) { DS = 0; _nop_();//5us DS = 1; _nop_();//5us j = DS;//先读低位 Delay_us(10);//>60us DS = 1; _nop_(); dat = (j<<7)|(dat>>1);//得到的数先移到最高位，dat再右移一位 } return (dat);}void main(){ uint i; uchar L, M; while(1) { ds_init();//初始化 write_byte(0xcc);//跳过ROM write_byte(0x44);//温度转换 ds_init();//初始化 write_byte(0xcc);//跳过ROM write_byte(0xbe);//读寄存器 L = read_byte();//读低八位 M = read_byte();//读高八位 i = M; i <<= 8;//高八位左移 i |= L;//与低相与八位 if(i&0XF800==0XF800)//判断高五位是否为1，为1为负值 { i=~i+1;//如果为 1 ，则取反 i 再加 1 } i=i*0.0625; Display(i); }}