晶振分为有源晶振（Oscillator）和无源晶振（Crystal），无源晶振的参数称为负载电容（Load capacitance），负载电容是指在电路中跨接晶振两端的总外部有效电容。负载电容是工作条件，即电路设计应满足负载电容等于或接近晶体振动数据手册给出的值，使晶体振动按预期工作。

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负载电容计算公式

CL=[Cd*Cg/(Cd  Cg)] Cic △C

• Cd，Cg：晶体振动的两只脚和对地电容分别连接，通常 Cd == Cg，但 Cd ！= Cg 也可以，Cd、Cg称为匹配电容或外部电容，其功能是调节负载电容，使其符合晶体振动的要求。需要注意的是，Cd、Cg串联后的总电容值（Cd*Cg/(Cd Cg)）假设是负载电容的有效部分Cd==Cg==30pF，那么Cd、Cg对负载电容的贡献是15pF。
• Cic：芯片引脚分布电容和芯片内部电容(部分芯片为PCB上省掉Cd、Cg，芯片内集成电容)。
• △C：PCB电容器的布线分布值为3-5pf。

负载电容对振荡频率的影响

一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。通过初步的计算发现CL改变1pF，Fx可以改变几百Hz。

Fx =  F0(1 C1/(C0 CL))^(1/2)