1. 对于P对于型半导体，以下说法是正确的(D)
A 电子为多子
B 穴位为少子
C 能带图中的主要水平靠近导带底
D 能带图中的主要水平接近价带顶部
2. 以下光电器件需要100-200V的高反压(C)
A Si光电二极管
B PIN光电二极管
C 雪崩光电二极管
D 光电三极管
3. 对于光敏电阻，以下说法不正确：(D)
A 在弱光下，光电流与照明之间有良好的线性关系
B 光敏面呈蛇形，有利于提高灵敏度
C 光敏电阻具有前历效应
D 光敏电阻光谱的峰值波长在低温下向短波移动
4. 在直接探测系统中，(B)
A 探测器能响应光波的波动性，输出的电信号间接表示光波的振幅和频率
率和相位
B 探测器只响应平均光功率
C 具有空间滤波能力
D 具有光谱滤波能力
5. 激光二极管(LD)和发光二极管(LED)以下说法是正确的(D)
A LD只能连续发光
B LED的单色性比LD要好
C LD内部没有谐振腔
D LED辐射光的波长取决于材料的禁带宽
6. 对于N对于型半导体，以下说法是正确的(A)
A 费米能级靠近导带底部
B 穴位为多子
C 电子是少子
D 费米水平靠近价带顶部
7. 根据光电器件的伏安特性，以下哪些器件不能视为恒流源： (D)
A 光电二极管
B 光电三极管
C 光电倍增管
D 光电池
8. 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量线性关系良好，动态范围较大。适当的偏置是(D)
A 恒流
B 自偏置
C 零伏偏置
D 反向偏置
9. 关于热电探测器，以下说法哪个不正确？(C)
A 从紫外线到红外线的光谱响应范围几乎相同
B 响应时间为毫秒
C 设备吸收光子的能量，将非传导电子转化为传导电子
D 各种波长辐射有助于设备的响应
10. 为了提高辐射热计的电压响应率，以下方法不正确(D)
A 冷却辐射热计
B 黑化敏感表面
C 将辐射热计包装在真空外壳中
D 使用较厚的信号导线
11.光谱光视效率V(505nm)=0.40730，波长为505nm、1mW辐射光的光通量为
A 683lm
B 0.683lm
C 278.2 lm
D 0.2782 lm (D)
12. 以下探测器的光电响应时间由少数载流子的寿命决定：(A)
A 线性光电导探测器
B 光电二极管
C 光电倍增管
D 热电偶和热电堆
13. 在光电探测器中添加适当的偏置电路以下说法是错误的(A )
A 可扩大探测器光谱响应范围
B 能提高探测器的灵敏度