在直流电源系统中，电源的输入端通常在输入端保护电源，以防止正负电极反向连接。防止反向连接保护的方法有很多。今天我们来介绍一下。
利用二极管的单向导通特性实现防反接是最简单的防反接方法，成本低，但缺点明显。
首先，二极管压降大，硅管0.7V左右，锗管0.2-0.3V左右。这不适用于一些电源电压较小的应用，如锂电池供电，3.3V在系统中，二极管将损失至少0.2V的压降。
另外，不适合大电流的应用。假设系统电流2A，二极管压降0.7V，二极管上的功耗为1.4W，热量大，效率低。
这种方法也利用了二极管的单向导通特性，但使用了四个二极管。这种方法的优点是，正反电路都会正常工作。缺点与二极管防反接相同，压降是两个二极管的压降，缺点更为明显。
图中Q1为NMOS当电源正接时，管道，MOS管体二极管导通，源极S的电压为0.7V左右，栅极G的电压VBAT，则Vgs =（VBAT-0.6）*R5/(R5 R3)，当选择合适的R3和R5值，使Vgs达到MOS管道的开启电压是MOS管DG极导通，体二极管短路，系统通过MOS管道形成回路。MOS管道的导电阻一般很小，毫欧级，即使系统电流较大，也不会产生很大的压降和功耗。
寄生二极管反接时，MOS导通电压为0，NMOS从而保护系统。
图中D五是稳压管，防止Vgs电压过大导致MOS被击穿，C1电容的作用是使电路软启动，电流通过R3对C1充电，使G逐步建立极电压。
PMOS管防反接与NMOS管理原理是一样的，是NMOS连接电源负极，PMOS连接到电源正极。电路如下，不再具体分析。
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