晶体管的场效应(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(juncTIon FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体效应管道(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。多载流子参与导电，又称单极晶体管。属于电压控制半导体器件。输入电阻高(107~1015)Ω)、噪音低、功耗低、动态范围大、集成方便、无二次突破、安全工作区域宽等优点，已成为双极晶体管和功率晶体管的强大竞争对手。
场效应管(FET)它是一种利用控制输入电路的电场效应来控制输出电路电流的半导体装置，并以此命名。
场效应管电路图符号
说到场效应管的外观，恐怕我不需要贴图。它常用于电路图
这意味着，由于其结构原理抽象，我们通俗化地谈论它的使用，所以我们不多谈。由于根据使用场合的要求制作的种类和特点不同；我们在mpn常用的电控开关一般用作电源供电，因此需要通过电流相对较大，因此是一种特殊的制造方法 的场效应管(MOS型)，其电路图符号：
仔细看看，你会发现这两张照片似乎有所不同。顺便说一下，这实际上是两种不同的增强场效应管。第一个叫N沟增强场效应管，第二个叫P沟增强场效应管。它们的功能恰恰相反。正如我前面所说，现场效应管是一个电气控制开关，所以我们将首先讨论如何使用它作为开关，从图中我们可以看到它也有三只脚像三极管，这三只脚分别被称为栅极(G)、源极(S)和漏极(D)，mpn贴片元件示意图如下：
一脚是栅极，这个栅极是控制极，在栅极上加上电压不加电压来控制两脚和三脚的相通性，N沟道的，在栅极加上电压2脚和3脚就通电了，去掉电压就关断了，而P沟道的刚好相反，在栅极加上电压就关断(高电位)，去掉电压(低电位)就相通了！
结型场效应管的结构和符号
结型场效应管采用半导体内的电场效应，分为N沟和P沟。两个P型区分别扩散到一个N型半导体的两侧，形成两个PN将两个P型区域连接成一个电极G称为栅极，从N型半导体的上下两端各引出一个电极，其中S称为源极，D因为D、S电流通道间存在，故称N沟结型场效应管。P沟结型场效应管的结构与N沟类型相似，其结构和电路符号如图所示。
管结构和符号
绝缘格栅场效应管是一种利用半导体表面的电场效应来控制泄漏电流的装置。其格栅极与半导体绝缘，电阻大于1万Ω。
增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟，VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟VDS作用下iD。
1. 结构和符号(以N沟道增强型为例)
将两个高浓度的N型区域扩散到极和源极扩散在一个低浓度的P型硅上，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层，并引出一个电极作为栅极。
N沟绝缘格栅场效应管结构动画
其他MOS管符号