在电路设计中，MOS管和IGBT管道经常出现，可作为开关元件使用，MOS管和IGBT管道的外观和特性参数相似，那么为什么有些电路使用呢？MOS管？还有一些电路IGBT管？
让我们来看看，MOS管和IGBT管到底有什么区别？
场效应管主要有两种类型，即结型场效应管（JFET）以及绝缘栅场效应管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，也称为绝缘栅场效应管。
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
▲MOSFET类型和电路符号
有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。
寄生二极管的作用有两种解释：
1、MOSFET寄生二极管的作用是预防VDD过压时烧坏MOS因为管道过压对MOS管道损坏前，二极管先反向击穿，大电流直接到地，避免MOS管被烧坏。
2、防止MOS管道的源极和漏极反接时烧坏MOS当电路有反向感生电压时，管道也可以为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特点。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极晶体管由晶体三极管和MOS复合半导体器件由管道组成。
IGBT作为一种新型的电子半导体设备，具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、电流大等特点，广泛应用于各种电子电路中。
IGBT到目前为止，电路符号还没有统一。绘制原理图时，通常使用三极管MOS管的符号可以从原理图上标注的型号来判断IGBT还是MOS管。
还要注意IGBT是否有体二极管，图上没有标记并不意味着一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管就存在了。
IGBT内体二极管不是寄生的，而是为了保护IGBT特别设置的脆弱反向耐压，又称FWD(续流二极管)。
判断IGBT用万用表测量内部是否有体二极管并不难。IGBT如果IGBT是好的，C、E两极测得的电阻值无限大，说明IGBT没有体二极管。
IGBT非常适用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。
IGBT是通过在MOSFET由漏极上加层组成。
IGBT理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET结合晶体管三极管，MOSFET导通电阻高的缺点，但是IGBT在高压下克服这一缺点IGBT导通电阻仍然较低。
此外，功率容量相似IGBT和MOSFET，IGBT速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT因为有关断拖尾时间，IGBT关断拖尾时间长，死区时间也要加长，从而会影响开关频率。
选择电路MOS作为功率开关管还是选择管道IGBT管道，这是工程师经常遇到的问题，如果考虑到系统的电压、电流、切换功率等因素，可以总结以下几点：
两者的使用条件也可以从下图中看出，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT可以选择？表示当前工艺无法达到的水平。
总的来说，MOSFET优点是高频特性好，工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是高压大电流场合导通电阻大，功耗大；IGBT在低频、高功率场合表现良好，导电阻小，耐压性高。
MOSFET用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源；IGBT主要用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。
参考资料：
https://wenku.baidu.com/view/56c5322e0722192e4536f6d9.html?sxts=1583479105292
http://www.elecfans.com/d/988051.html
https://wenku.baidu.com/view/572f952158fafab069dc0285.html?sxts=1583479109065