随着电力电子技术向高频大功率用电领域的进一步发展，电子设备一直在努力提高频率和功率。曾经用作电力开关的半导体设备包括晶闸管和现场控制晶闸管(FCT),晶闸管极可关闭(GT0)，双极晶体管(BJT),结型场效应管(JFET),功率双极型品体管(GTR)和功率MOSFET等。
其中GTR和功率MOSFET它是一种新型的功率半导体开关设备，但它们仍然不能兼顾高频率和高功率。GT℉在一定程度上很容易实现高压和大电流，但很难实现高速：功率MOSFET高速化容易，但由于高耐压与低导电阻的矛盾，大电流化难以实现。
双极晶体管绝缘栅(IGBT)一方面，它保留了高功率的特点，另一方面，它引入了一个双极晶体管注入载流子来调节电导率，解决了管道高耐压和低导电阻之间的矛盾。它是一种高频、高功率的设备。
IGBT它是20世纪80年代初出现的一种新型半导体功率器件，其电压控制输入特性可以在许多领域取代低阻通态输出特性GRT和功率MOSFET等器件IGBT还具有MOSFET高输入阻抗、电压驱动、无二次击穿、安全工作区宽等优点，已成为功率装置的强大竞争对手。
目前IGBT从导弹、航天、卫星到汽车、电机驱动、焊机、电源和通信电源、家用电器、新能源等国际军用领域，设备制造及其应用技术相对成熟。
市场上主要有：EUPEC(优派克)BSM、FF、FZ西门康系列SKM、SKIIP东艺系列MG、MIG三菱的系列CM、PM、RM、TM富士1系列MB1、2MB1、6MBP仙童的系列SGH、TGL、FGA、SGL系列品牌。
单片机的发展与现状
单片微型计算机简称单片机，是典型的嵌入式微控制器(Microcontrol1erUnit),英文字母的缩写常用MCU表示单片机，又称单片微控制器，它不是完成某一逻辑功能的芯片，而是将计算机系统集成到芯片上。
单片机由计算机、控制器、存储器、输入和输出设备组成，相当于微型计算机（最小系统）。与计算机相比，单片机缺乏外围设备。一般来说，芯片变成了计算机。它体积小，质量轻，价格便宜，便于学习、应用和开发。同时，学习使用单片机是了解计算机原理和结构的最佳选择。它最早用于工业控制领域。
INTEL8080是第一个按照这个想法设计的处理器，当时单片机是8位或4位。中最成功的是INTEL此后，8051在8051上发展起来MCS51系列单片机系统。因其简单可靠、性能好而受到高度赞扬。尽管2000年以后ARM32个主频已经发展了300多个M基于8051的高端单片机至今仍被广泛使用。单片机在很多方面比专用处理器更适合嵌入式系统，因此得到了广泛的应用。
IGBT这样，它本质上是一个电子开关。说到电子开关，你可能会想到它MOS管和三极管，那IGBT与他们相比有什么优势？
IGBT最大的优点是耐受电压高，可达6500伏以上，通过电流大，可达3600安培。这个数据太不可思议了，因为普通晶体管流过的电流只有几安培，不仅功率高，而且IGBT开关频率每秒可达数万次。
IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，这意味着绝缘栅双极晶体管，这是它的电路符号，它的使用方法非常简单，当我们给G极高电平时，它导致，相当于开关关闭，当我们给G极低电平时，它将停止，相当于开关断开。
看到G，C，E这些字母很熟悉吗？G是MOS管的栅极，C由于三极管的集电极和发射极与E分别是IGBT结合两者的优势，结合两者的优势MOS三极管的驱动电流和导通电阻的优点。
MOS当它导通时，管道是电场驱动器GS极几乎相当于断路，电流很小，所以MOS当三极管饱和导通时，管道的驱动电流较低CE极电阻很小，所以三极管的导电阻很低。
所以你可以看到它的等效电路符号集两者于一体，当我们通常给G极低电时IGBT截止日期，给G极高电平时，MOS先导通，然后三极管CE因此，极形成电流IGBT导通，这就是IGBT其主要功能是将高压直流电转化为交流电。
还有变频，用IGBT主要产品是逆变器，主要用于电动汽车、太阳能和工业自动化。IGBT它通常以模块的形式出现，除了集成IGBT，还有散热器、续流二极管等。
其他模块集成了许多IGBT，甚至提供了特殊的保护电路，极大地方便了电路设计师，提高了产品的稳定性。目前生产IGBT英飞凌、东芝、三菱、意飞凌、东芝、三菱、意大利半导体、恩智浦和安森美。
虽然IGBT的原理看起来挺简单的，但是开发出一款IGBT极其复杂。由于电动汽车的兴起和发展IGBT因为电动汽车的电池是直流电，而电机是交流电，所以它们之间转换的核心设备是IGBT。
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