转载--硬件攻城狮2022-03-23 12:15
在电子电路中，MOS管和IGBT管道经常出现，可作为开关元件使用，MOS管和IGBT管道的形状和特性参数也相似。为什么有些电路使用？MOS有些电路使用管道IGBT管？
让我们来看看，MOS管和IGBT管到底有什么区别？
场效应管主要有两种类型，即结型场效应管（JFET）以及绝缘栅场效应管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，也称为绝缘栅场效应管。
MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
MOSFET种类与电路符号
有的MOSFET内部会有二极管，即体二极管，或寄生二极管、续流二极管。
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MOSFET寄生二极管的作用是预防VDD过压时烧坏MOS因为管道过压对MOS管道损坏前，二极管先反向击穿，大电流直接到地，避免MOS管被烧坏。
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防止MOS管道的源极和漏极反接时烧坏MOS当电路有反向感生电压时，管道也可以为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特点。
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极晶体管由晶体三极管和MOS复合半导体器件由管道组成。
IGBT作为一种新型的电子半导体设备，具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、电流大等特点，广泛应用于各种电子电路中。
IGBT到目前为止，电路符号还没有统一。绘制原理图时，通常使用三极管MOS管的符号可以从原理图上标注的型号来判断IGBT还是MOS管。
还要注意IGBT是否有体二极管，图上没有标记并不意味着一定没有，除非官方资料有特别说明，否则这个二极管就存在了。
IGBT内体二极管不是寄生的，而是为了保护IGBT特别设置的脆弱反向耐压，又称FWD(续流二极管)。
判断IGBT用万用表测量内部是否有体二极管并不难。IGBT如果IGBT是好的，C、E两极测得的电阻值无限大，说明IGBT没有体二极管。
IGBT非常适用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOS管和IGBT如下图所示：
IGBT是通过在MOSFET由漏极上加层组成。
IGBT理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET结合晶体管三极管，MOSFET存在导通电阻高的缺点，但IGBT在高压下克服这一缺点IGBT导通电阻仍然较低。
此外，功率容量相似IGBT和MOSFET，IGBT速度可能会慢于MOSFET，因为IGBT因为有关断拖尾时间，IGBT拖尾时间长，死区时间长，影响开关频率。
选择电路MOS作为功率开关管还是选择管道IGBT管道，这是工程师经常遇到的问题。如果考虑到系统的电压、电流、切换功率等因素，可以总结以下几点
两者的使用条件也可以从下图中看出，阴影部分区域表示MOSFET和IGBT可以选择？表示当前工艺无法达到的水平。
总的来说，MOSFET优点是高频特性好，工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是高压大电流场合导通电阻大，功耗大；IGBT在低频、高功率场合表现良好，导电阻小，耐压性高。
MOSFET用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等高频电源；IGBT主要用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。
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