之前发过一篇:直流电源防反接电路设计，可使用二极管、桥式整流管和MOS管道设计防反接电路。本文转载为：EDN基于电子技术设计MOS管道提出了一种电路方案，可以支持直流电池/电源的正反连接。
EDN早前发布的设计实例“Circuit provides reverse-battery protection它总结了一种极性保护电路，它可以正确地将电池连接到负载上，无论电池在底座上的方向如何。采用此电路Maxim快速开关、低压、双开关SPDT CMOS模拟开关IC MAX4636设计，可以工作，但有一些缺点。其电源电压范围有一定的限制(1).8~5.5V），而且内部电阻略高，只能用于电流负荷不超过30mA的产品。幸运的是，由于MOSFET一些重大的技术进步现在可以克服这些局限性。
说明使用P沟MOSFET晶体管保护负载的反极性电池保护的方法。通常，P通道MOSFET导通时，需要向其栅源控制结施加适当的电压(栅极为负电位，源极为正电位)。所示P沟MOSFET连接略有不同，其工作方式如下。
将电源添加到A和B端子（A为正，B为负）时，晶体管的内部二极管D1处于正偏，为Q提供栅源控制电压，使其导通。MOSFET小电阻作为二极管D旁路1，将电流输送到负载。
当电池反向时，电压也施加到A和B端子(但现在A为负，B为正)，晶体管内部二极管D反向偏置，Q1.栅源电压为0。Q晶体管截止，负载无电流。
换句话说，这个电路中的P沟MOSFET Q1.其行为类似于二极管(即虚拟)D2)其正向阈值电压很低。N通道也可以以类似的方式使用MOSFET（）。
当A端为正时，B当端为负时，晶体管内部二极管D1获得正偏，为Q提供网漏控制电压，使其导通。MOSFET的小电阻为D1二极管分流，将电流输送到负载。
当向A和B端子反向供电（A为负，B为正)时，晶体管内部二极管D由于反向偏置，其网源电压等于0。MOSFET Q1.负载无电流。
和所示电路可用于保护负载免受电池反向连接的影响，而不是普通的二极管反向保护，但如果电池反向安装，则不能为负载供电。
当按安装电池时，正电位通过P沟晶体管Q2内部二极管的正偏置D二施加到其源极。这样会使Q2的栅极处于电池负极的电位，使其导通。电池的负极通过N通道晶体管Q3内部二极管的正偏置D连接到它的源极。在这种情况下，Q因为栅极处于电池正极的电位，所以会导通。一般来说，当电池处于这个方向时，Q2和Q3放大，将电池电压传输到负载；Q1和Q保持断开。
在下一种情况下，电池的安装方向相反。此时，正电势通过P沟晶体管Q4内部二极管的正偏置D四施加到其源极。由于Q4的栅极处于电池负极的电位，因此会导通。Q内部二极管D1由于正偏置，从而将来自电池负极的电势应用于N沟晶体管Q1的源极。由于Q因此，1的栅极处于电池正极的电位Q1导通。由于Q1和Q由于电池连接到负载，4双双导通Q2和Q三是处于关闭状态。
请注意，本设计具有安全功能，已使用MOSFET内部二极管。Q1~Q四中二极管相互连接，形成全桥整流器。MOSFET二极管作，二极管电桥仍能整流输入，从而为负载提供正确的极性。
附录
适用电压相对较低，不超过N沟和P沟MOSFET通常是最大允许栅源结±15~20V。对于需要更高电池电压的应用修改中间的电路以保护它MOSFET例如源结，如所示。
这个电路增加了齐纳二极管D5~D8，用以保护MOSFET电阻R1和R2起限流作用。在大多数情况下，D5~D8的Vzener(反向击穿电压)值应为12至13V之间。这足以打开MOSFET，获得其最小Rds-on值。R1和R2的值（R1 = R2 = R）可按下式计算：
R = (Vbatt–Rds-on×Iload–Vzener)/Izen
其中，Vbatt是电池电压，Rds-on是MOSFET导通时的漏电阻，Iload是负载电流，Vzener是齐纳二极管的反向击穿电压，Izen是齐纳二极管的工作电流。
这款Maxim的器件在 3V在电源下会带来11Ω（2×5.5Ω）而在 5V电源下会带来8Ω（2×4Ω）串联电阻。