一，二极管
1.二极管的基本知识
PN 结：指半导体单晶的一部分P P 型区，其余为N N 型区。 P P 区是空穴，N N 区是电子的P P 、N N 根据质量作用定律，由于浓度差的原理，区地区的平衡多子和平衡少子混合浓度差异较大。（ N->P为正）
载流子在电场作用下漂移，其方向与扩散方向相反，直到 PN结电流为零，达到平衡状态。 PN 结两端外加不同方向的电压，就可以破坏原来的平衡，而呈现单向导电特性（非线性非时变电阻）。半导体二极管是由 PN 由上引线和管壳组成， PN 二极管是最基本的半导体器件。
二、二极管的应用
（1）限幅电路：利用二极管单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成，将信号限定在某一范围变化，分为单限幅和双限幅电路。多用于信号处理电路中。 (2)夹位电路:将输出电压夹在一定值上。 (3)开关电路:数字电路中广泛使用二极管单向导电性连接断开电路。 (4)整流电路:交流信号采用二极管单向导电，广泛应用于直流稳压电源。 (5)低压稳压电路:利用二极管导通后两端电压基本不变的特点，采用几根二极管串联获得3V以下输出电压 (6)续流:防止电感产生高反电动势，损坏设备或部件。 三、二极管的主要参数
4,PN结的击穿
(1)雪崩击穿: 在电场的作用下，载流子能量增加，势垒区的载流电子会发生碰撞电离，刺激自由电子的形成- - 空穴对。新产生的载流子通过碰撞产生自由电子- - 空穴对，这是倍增效应。反向电压增加以满足以下条件：
（2）齐纳击穿： 在高反向电压下，由于电子的波动性，可以有一定的机会通过高于电子动能的势垒区，形成较大的反向电流。齐纳击穿所需的电场强度非常大！只有杂质浓度特别高 PN (杂质大，电荷密度大) 二极管的一般掺杂浓度没有那么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。
(3)热击穿: 以上两种都是 “ 电击穿 ” ，它们的特点是非破坏性和可逆性，而热击穿是破坏性和不可逆的。一般发生在电击穿和反向电流较大的情况下；或发生在正向时，因为正向电流不仅大，而且是正温系数。
二，三极管
1.基本知识：晶体三极管称为双极结晶管（ Bipolar Junction Transistor )BJT 。它的基本功能是放大电流。
2.晶体管的四种工作状态：发射结正偏和集电结反偏 — 放大区；发射结和集电结均正偏称为饱和区；发射结和集电结均反偏称为截止区； — 反向放大区。晶体管在数字电路中主要工作在饱和区和截止区，起开关作用。
三、晶体管的参数
A,电流放大系数：
B,极间反向电流
（1 ）集- - 基反向饱和电流I CBO 集电极反偏时代表发射极开路和集电极电流。在一定温度下，I I CBO 是常量。随着温度的升高 ICBO 这是三极管工作不稳定的主要因素。硅管在相同的环境温度下工作 ICBO 比锗管的 ICBO 小得多。
（2 ）穿透电流I I O CEO —— 极间反向电流越小越好，晶体管质量越高。
C,频率参数 — 反映三极管电流放大能力与工作频率的关系 三极管的频率应用范围表示参数。
D,极限参数
E,交流参数
三、晶体管的场效应
1.定义:场效晶体管（ Field Effect Transistor)这是一种电压控制多子导电器件，又称单极晶体管。 2.场效应晶体管可分为三类：
晶体管结型栅场效应（ JFET ）、肖特基格栅场效应晶体管（ MESFET) 、晶体管的绝缘栅场效应（ IGFET)
（1）JFET 以低混合半导体为导电沟，在半导体的一侧或两侧制作 PN 结，加上向电压。 PN 结势垒区主要扩展到低掺杂沟区，因此可以反偏 PN 根据反向电压的变化来控制导电沟的穿戴面积，从而控制沟的导电能力。 （2）MESFET 各 JFET 原理是一样的。这两种。 FET 不同之处在于， JFET 是利用 PN 作为控制栅
（3）而 MESFET 使用金属- - 以半导体结为控制栅。 这是三种场效应晶体管，无论是分立元件还是集成电路 IGFET占主导地位。
3.晶体管的绝缘栅场效应（IGFET)
IGFET 工作原理是利用电场控制半导体的表面状态，从而控制道路 沟的导电性。根据沟的导电类型，每种类型 FET 又可分为N N沟道器件和P P 沟道器件。 JFET 和 IGFET 通常由硅材料制成， MESFET 一般由砷化镓材料制成。当 IGFET 用 SiO2 作为绝缘层，我们使用这种绝缘层 FET 称为 “ 金属- - 氧化物- - 半导体 ” 场效应晶体管，简称 MOSFET 。 N N 沟道 MOSEFT基本结构示意图
MOSFET 工作原理是改变栅源电压 VGS 控制沟道的导电性，从而控制漏极电流 ID 。它是一种电压控制装置。
转移特性反映了栅源电压对泄漏电流的控制能力
4，MOSFET 参数及意义
5，晶体管和FET管的比较
三、了解二极管三极管电路
1.引入稳压二级管的问题: 只要稳压管有2，mA当电流流过时，会产生需求电压。稳压二极管主要由二极管的反向击穿特性制成（二极管内部有一个内电场，即内电场的特性和反向电压，但在制造过程中人为控制内电场的厚度，因此存在稳压），但它是如何形成的？如果我的电流需求很大，比如我用9，所有的二极管都要做限流电阻吗？V/3A电源，那么如何使用这种稳压管呢？
答:稳压管只能作为小负荷电源，比如几个负荷mA ，由于稳压管需要限流电阻，通常将电阻连接到电源进行限流，否则直接电源通过稳压管，会烧坏稳压管， 大电流电源需要设计开关电源。
2.在这个电路中，这个三极管的主要功能是减少0.7V直接使用二极管也可以降低左右电压。~三极管有什么好处？
答：这里三极管的作用是放大电流，负载电流主要通过三极管CE ，从这个小电流控制三极管的B极是一个小电流CE 大电流提供负载，稳压管的作用是稳压，稳压值等于稳压管的电压减去0.7V，你必须弄清楚负载电流来自三极管CE之间流过。
3.这个电路的位置只有0.3V，此时B极电压应该只有0.7V(二极管钳位)Ube导通，UCE导通，这0.3V是由于Uce导通接地后的电压吗？也叫管压降，对吗？
答：这个0.3 V 是三极管 Q2 饱和 后，CE之间的压降
4.在设计延迟电容器时，延迟电容器主要用于过滤电路的浪涌电流，也称为（峰值）。这个峰值电容器的时间限制是什么？以上是关于你的视频的：T1\Ｔ２\T3代表三个步骤:(1)T1时为：0 （2）T二是充电过程 （3）T3.充电完成后，当电源不再供电时，当电容器放电到负载时，电源的时间是什么？
答：单个RC 电路充电时间常数为 t 等于 RC ，在这个电路里，R值不好计算，但你可以大概用R2乘以 C4 计算，精确设置C 示波器需要测试容值C4充电上升时间， 所以你的尖峰电压宽度比这个上升边缘要小。
5、对于三极管的一个问题：三极管从内部流向来讲，Ic=放大倍数*Ib，那么Ie=Ic Ib,所以在放大区，主要是因为Ic电流放大，所以电流是Ic但在视频开关电路中，当Ib有一个0.7V当电压流入时，Ube导通，Uce也导通(电流是Ic流入Ie）
你觉得这两个问题怎么样？为什么同样的三极管被放大？Ic饱和导通是由放大引起的Ic流向Ie
答：无论三极管是放大还是饱和，这个问题只是纠结于一个精度问题。IE都是等于IB加上IC,粗略计算就是忽略IB
6、使用PNP使用三极管时，三极管被钳位为0.7V三极管BE必须与地面形成回路，对吗？
解释：当开关按下时，三极管BE导B极电压为 12V-0.7V 三极管的EB 总是0.7V 所以B极总是12减去0.7V , 若开关断开，则三极管BE没有电流，所以，三极管的B极接上拉电阻R11 到电源12V， 所以就是12V ，因为没有电流，R11上没有压降。