相信很多工程师都不清楚这三者在电路中的作用。本文从设计中详细分析了消除情况EMC三大利器的原理。
虽然从过滤高频噪声的角度来看，电容谐振并不总是有害的。
当确定要过滤的噪声频率时，谐振点可以通过调整电容的容量来落在骚扰频率上。
在实际工程中，要过滤的电磁噪声频率往往高达数百MHz，甚至超过1GHz。穿心电容器必须有效地过滤掉如此高频的电磁噪声。
(1)电容引线电感引起电容谐振，对高频信号阻抗较大，削弱了对高频信号的旁路作用；
(2)另一个原因是导线之间的寄生电容使高频信号发生耦合，降低了滤波效果。
穿心电容之所以能有效过滤高频噪声，是因为穿心电容不仅没有引线电感，导致电容谐振频率过低。
此外，穿心电容器可以直接安装在金属面板上，金属面板可以起到高频隔离的作用。但在使用穿心电容器时，应注意安装问题。
许多电容器在焊接过程中损坏。特别是当需要在面板上安装大量的穿心电容器时，只要有损坏，就很难修复，因为在拆卸损坏的电容器时，会对相邻的其他电容器造成损坏。
由于EMC大多数问题都是共模干扰，所以共模电感也是我们常用的有力元件之一。
共模电感是一个以铁氧体为磁芯的共模干扰抑制器件，它由两个尺寸相同，匝数相同的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯上，形成一个四端器件，要对于共模信号呈现出大电感具有抑制作用，而对于差模信号呈现出很小的漏电感几乎不起作用。
原理是通过共模电流时，磁环中的磁通量相互叠加，具有相当大的电感，抑制共模电流。当两个线圈通过差模电流时，磁环中的磁通量相互抵消，几乎没有电感，因此差模电流可以无衰减地通过。
因此，共模电感能有效抑制平衡线路中的共模干扰信号，对线路正常传输的差模信号无影响。
(1)绕制在线圈磁芯上的导线要相互绝缘，以保证在瞬时过电压作用下线圈的匝间不发生击穿短路;
(2)当线圈流过瞬时大电流时，磁芯不应饱和；
(3)线圈中的磁芯应与线圈绝缘，防止两者在瞬时过电压作用下击穿；
(4)线圈应尽可能绕单层，这样可以减少线圈的寄生电容，增强线圈对瞬时过电压的教学能力。
通常，同时注意选择所需的滤波频段。共模阻抗越大越好。因此，在选择共模电感器时，我们需要查看设备数据，主要根据阻抗频率曲线进行选择。
另外，选择时要注意差模阻抗对信号的影响关注特别注意高速端口。
产品数字电路EMC在设计过程中，我们经常使用磁珠。铁氧体材料为铁镁合金或铁镍合金，该材料具有很高的导磁性。它可以是电感线圈绕组之间在高频高阻下产生的最小电容。
铁氧体材料通常在高频情况下应用，因为在低频时他们主要程电感特性，使得线上的损耗很小。在高频情况下，他们主要呈电抗特性比并且随频率改变。实际应用中，铁氧体材料是作为射频电路的高频衰减器使用的。
事实上，铁氧体更好地等同于电阻和电感并联。低频电阻被电感短路，高频电感阻抗变得相当高，使所有电流都通过电阻。
铁氧体是由其电阻特性决定的高频能量转化为热能的消耗装置。与普通电感相比，铁氧体磁珠具有更好的高频滤波特性。
铁氧体在高频时具有电阻性，相当于质量因数低的电感器，因此可以在相当宽的频率范围内保持较高的电阻，从而提高高频滤波效率。
在低频段，阻抗由电感的感抗组成，低频时R很小，磁芯的磁导率较高，因此电感较大，L它起着主要作用，电磁干扰被反射和抑制；此时，磁芯损耗较小。整个设备是一种低损耗、高Q特性的电感，容易引起谐振。因此，在低频段，有时使用铁氧体磁珠后可能会出现干扰增强。
在高频段，阻抗由电阻成分组成。随着频率的增加，磁芯的磁导率降低，电感的电感量和感抗成分降低。
然而，磁芯损耗增加，电阻成分增加，导致总阻抗增加。当高频信号通过铁氧体时，电磁干扰被吸收并转化为热能。
铁氧体抑制元件广泛应用于印刷电路板、电源线和数据线。例如，在印刷板的电源线入口端加上高频干扰可通过铁氧体抑制元件过滤掉。
铁氧体磁环或磁珠专门用于抑制信号线和电源线上的高频干扰和尖峰干扰。它还具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。片式磁珠或片式电感的使用主要在于实际应用。
片式电感需要用于谐振电路。需要消除不必要的EMI使用片式磁珠是噪声的最佳选择。
射频(RF)无线通信、信息技术设备、雷达检波器、汽车电子、蜂窝电话、寻呼机、音频设备、个人数字助理(PDAs)，无线遥控系统和低压供电模块。
模拟电路与数字电路之间的滤波，I/O输入/输出内部连接器(如串口、并口、键盘、鼠标、长途电信、本地局域网)、高频传导干扰、计算机、打印机、录像机等。(VCRS)，电视系统和手提电话EMI噪声抑止。
磁珠的单位是欧姆，因为磁珠的单位是根据其在一定频率下产生的阻抗来标称的，阻抗的单位也是欧姆。
磁珠的DATASHEET频率和阻抗的特征曲线图一般为100MHz以1000为标准，如100MHz磁珠的阻抗相当于1000欧姆。
磁珠阻抗越大越好，通常选择600欧姆阻抗以上。
此外，在选择磁珠时，需要注意磁珠的通流，通常需要降低80%的金额。在电源电路中使用时，应考虑直流阻抗对压降的影响。
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