IGBT保护的问题
现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片可以保护IGBT的项。 1.Vce过压 2.Vge过压 3.短路保护 4.过高的di/dt
主要看短路保护和过流保护 短路的定义 1.桥臂内短路(直通)命名为一类短路； 2.桥臂间短路(大电感短路)命名为二类短路，可通过霍尔检测和格局电流变化率来判断。
IGBT发生短路时，描述短路电流的数学表达式如下这是个线性方程，它表示，在短路发生时，电流的绝对值与电压，回路中的电感量，及整个过程持续的时间有关系。 
大多数短路，母线电压在额定点，影响短路电流的主要因素是短路电路中的电感。因此，在对短路行为进行分类和定义时，短路电路中的电感是分类的主要依据。 如果短路电路中的电感继续增加，电流变化率就会变低。此时，它不是短路，而是过流。此时，需要电流传感器或特定电路来感知电流的绝对值，从而进行过流保护。驱动芯片通常只能进行短路保护，而不能进行过流保护。短路保护和过流保护是两个不同的概念。
短路保护原理： 短路保护，desat保护又称退饱和保护。 1.下图是驱动芯片内部的原理框图
原理是:(1)当IGBT关断时，T导通，电流源1被T1旁路，Ca钳位低，比较器不翻转； （2）当IGBT在开通过程中，T1截止，IGBT电流源1通过饱和导通Rm，Dm及IGBT形成回路，比较器不翻转； （3）当IGBT短路时，饱和区将退出，Vce直到母线电压快速上升，Dm立即截止，电流源1向 Ca充电，Ca点线性上升，比较器在达到门槛时翻转。 短路保护实际上是驱动芯片监控的 Vce之间的压降。可参考数据手册了解desat设定的阈值，Vce达到这个阈值后，开始短路保护。
IGBT短路时，电流上升到额定电流的4倍以上，最终IGBT关闭这个电流是必要的。此时的电流值远高于正常工作的电流，因此此时的电压尖峰也非常高。因此，为了防止高压尖峰损坏IGBT，此时还需要引入有源钳位电路来吸收高压尖峰。
过流保护： IGBT电路电感大，电流爬升缓慢(与短路相比)，IGBT退饱和现象不会发生，因此需要依靠电流传感器来感知电流值，保护系统。
除了通过电流传感器来采集电流之外，和可以在驱动电路中引入过流检测电路。Di/dt检测，Vce过流可以通过饱和压降检测来检测。 闭环霍尔电流传感器主要用于电流传感器感器。由于霍尔传感器的频带宽度和控制采样电路的延迟，实时性可能有待提高；di/dt检测主要是基础IGBT电源E级与驱动E级之间的寄生电感来判断电流的大小，而这种电感参数不易测量；Vce可采用饱和压降检测IGBT驱动芯片去饱和Desat检测功能。 原理图如下图所示： D5为 低 温 漂 型 电 压 比 较 器LM2903。通过调整 R1和R2的阻值可以在 D5的 2 脚端得到 阈值电压 Vth。IGBT 正常工作时，D5的 3 脚端电压低于 Vth，由于比较器输出为三极管，因此比较器输出为低电平 OC 门输出，DESAT 端电压在约 0 V 低电平，无过流故障； 当 IGBT 的 VCE流量上升，D5的 3 脚电压高于 Vth当比较器翻转输出高电平时，OC 门关断，DESAT 端电压上升到 15 V，超过芯片内部 6. 5 V 比较门限，发生过流故障。
采用电压基准源 TL431 和电压比较器 LM2903 根据 IGBT 的不同调整 R1、R2的电阻值，生产调试更方便。